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Siehe Technische Spezifikationen

ECH8651R-TL-H +BOM

Description of ECH8651R-TL-H MOSFET, featuring N-channel design, 24V voltage, and 10A current handling capability

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

ECH8651R-TL-H
Datenblatt:

ECH8651R-TL-H Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

ECH8651R-TL-H Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 24V 10A 1.5W Surface Mount 8-ECH

Hauptmerkmale

Low On-Resistance
2.5V drive
Common-drain type dual MOSFET
Built-in proctetion diodes
Built-in gate protection resistors
Best suited for lithium battery (LiB) charging/discharging switching

Anwendung

Power Management

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	24 V	Id - Continuous Drain Current	10 A
Rds On - Drain-Source Resistance	14 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.3 V	Qg - Gate Charge	16.8 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.4 W	Channel Mode	Enhancement
Series	ECH8651R	Configuration	Dual
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Unit Weight	0.000686 oz

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