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Siehe Technische Spezifikationen

FGA6530WDF +BOM

IGBT, 650 V, 30 A Field Stop Trench

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FGA6530WDF
Datenblatt:

FGA6530WDF Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FGA6530WDF

FGA6530WDF Allgemeine Beschreibung

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of field stop 3^rd generation IGBTs offer the optimum performance only for welder application where low conduction and switching losses are essential.

Hauptmerkmale

Maximum Junction Temperature : T_J = 175°C
Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: V_CE(sat) = 1.8 V(Typ.) @ I_C = 30 A
100% of the Parts Tested for I_LM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
RoHS Compliant

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	60 A	Pd - Power Dissipation	176 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Series	FGA6530WDF	Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 400 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	450	Subcategory	IGBTs
Unit Weight	0.225789 oz

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