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Siehe Technische Spezifikationen

FGH40T65UQDF-F155 +BOM

IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FGH40T65UQDF-F155
Datenblatt:

FGH40T65UQDF-F155 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FGH40T65UQDF-F155

FGH40T65UQDF-F155 Allgemeine Beschreibung

Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4^th generation IGBTs offer superior con-duction and switching performance and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating and MWO.

Hauptmerkmale

Maximum Junction Temperature: T_J = 175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: V_CE(sat) = 1.33 V ( Typ.) @ I_C = 40 A
100% of the Parts tested for I_LM(1)
High Input Impedance
Tighten Parameter Distribution
RoHS Compliant
Low Conduction Loss Design for Soft Switching Application

Anwendung

Induction Heating Application
Microwave Oven

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.33 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	80 A	Pd - Power Dissipation	231 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Gate-Emitter Leakage Current	400 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	450	Subcategory	IGBTs
Part # Aliases	FGH40T65UQDF_F155	Unit Weight	0.225401 oz

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