Bezahlverfahren
FGH60N60SMD +BOM
IGBT, 600V, 60A, Field Stop
TO-247-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
FGH60N60SMD
-
Datenblatt:
-
IGBT Type:
Field Stop
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
600 V
-
Current - Collector (Ic) (Max):
120 A
-
Current - Collector Pulsed (Icm):
180 A
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7207 Stck
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FGH60N60SMD Allgemeine Beschreibung
Using novel field stop IGBT technology,ON Semiconductor’s new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Hauptmerkmale
- Maximum junction temperature : TJ =175 °C
- Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating
- High current capability
- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.9V(Typ.) @ IC = 60A
- High input impedance
- Fast switching: EOFF =7.5uJ/A
- Tightened parameter distribution
- RoHS compliant
Anwendung
- Uninterruptible Power Supply
- Energy Generation & Distribution
- Other Industrial
Spezifikationen
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | - |
IGBT Type | Field Stop | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A | Power - Max | 600 W |
Switching Energy | 1.26mJ (on), 450µJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 189 nC | Td (on/off) @ 25°C | 18ns/104ns |
Test Condition | 400V, 60A, 3Ohm, 15V | Reverse Recovery Time (trr) | 39 ns |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | FGH60 |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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FGH60N60SMD Datenblatt PDF
FGH60N60SMD PDF Vorschau
In Stock: 7.207
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $5,152 | $5,15 |
10+ | $4,486 | $44,86 |
30+ | $4,079 | $122,37 |
90+ | $3,741 | $336,69 |
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