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Siehe Technische Spezifikationen

FGL35N120FTDTU +BOM

IGBT Trench Field Stop 1200 V 70 A 368 W Through Hole HPM F2

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FGL35N120FTDTU
Datenblatt:

FGL35N120FTDTU Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV

FGL35N120FTDTU Allgemeine Beschreibung

Using advanced field stop trench IGBT technology, ON Semiconductor’s 1200V trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder applications.

Hauptmerkmale

Field stop trench technology
High speed switching
Low saturation voltage: V_CE(sat) = 1.68 V @ I_C = 35A
High input impedance

Anwendung

Energy Generation & Distribution
Uninterruptible Power Supply

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.68 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 25 V, 25 V	Continuous Collector Current at 25 C	70 A
Pd - Power Dissipation	368 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	FGL35N120FTD
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	375
Subcategory	IGBTs	Unit Weight	0.238311 oz

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