Bezahlverfahren
FJP5304D
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
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Hersteller:
onsemi
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Herstellerteil #:
FJP5304D
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Datenblatt:
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Transistor Type:
NPN
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Current - Collector (Ic) (Max):
4 A
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
400 V
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
1.5V @ 500mA, 2.5A
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 9619 Stck
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FJP5304D Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 70 W Through Hole TO-220-3
Hauptmerkmale
- Wide Safe Operating Area
- Built-in Free-Wheeling Diode
- Suitable for Electronic Ballast Application
- Small Variance in Storage Time
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
Series | - | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 2.5A | Current - Collector Cutoff (Max) | 250mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 2A, 5V | Power - Max | 70 W |
Frequency - Transition | - | Operating Temperature | - |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | FJP530 |
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Verfügbarkeit: 9619 PCS
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