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Siehe Technische Spezifikationen

FMMT417TD +BOM

FMMT417TD: NPN Bipolar Junction Transistor designed for General Purpose Applications, featuring a Maximum Voltage of 100V and a Current Rating of 0

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

FMMT417TD
Datenblatt:

FMMT417TD Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

100 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FMMT417TD

FMMT417TD Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 100 V 500 mA 40MHz 330 mW Surface Mount SOT-23-3

Hauptmerkmale

Avalanche Transistor
60A Peak Avalanche Current (Pulse width = 20ns)
BVCES> 260V (415) & 320V (417)
BVCEO> 100V
Specifically designed for Avalanche mode operation
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V	Collector- Base Voltage VCBO	320 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	500 mW
Gain Bandwidth Product fT	40 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	FMMT41
Continuous Collector Current	500 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	25 at 10 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max	25 at 10 mA, 10 V	Height	1.1 mm
Length	3 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.4 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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