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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FMBM5551 +BOM

NPN General Purpose Amplifier

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

FMBM5551
Datenblatt:

FMBM5551 Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419AG
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Mounting Style:

SMD/SMT
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FMBM5551

Hauptmerkmale

This device has matched dies
Sourced from process 16.
See MMBT5551 for characteristics

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	419AG
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	160 V	Collector- Base Voltage VCBO	180 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	700 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	FMBM5551
DC Collector/Base Gain hfe Min	80	Height	1 mm
Length	3 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.7 mm
Part # Aliases	FMBM5551_NL	Unit Weight	0.001058 oz

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