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FMM7G50US60N +BOM

IGBT Module Three Phase Inverter with Brake 600 V 50 A 139 W Through Hole

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

FMM7G50US60N
Datenblatt:

FMM7G50US60N Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
Continuous Collector Current At 25 C:

50 A
EDA/CAD Modelle:

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FMM7G50US60N Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Three Phase Inverter with Brake 600 V 50 A 139 W Through Hole

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Hex	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Continuous Collector Current at 25 C:	50 A	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Height:	16.8 mm
Length:	107 mm	Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V
Mounting Style:	Chassis Mount	Product Type:	IGBT Modules
Series:	FMM7G50US60	Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si	Width:	45 mm

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