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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FMMT491ATA +BOM

Medium Power NPN BJT Transistors

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

FMMT491ATA
Datenblatt:

FMMT491ATA Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FMMT491ATA

FMMT491ATA Allgemeine Beschreibung

The FMMT491ATA is a versatile NPN dual transistor designed for general purpose amplifier and switching applications. With a matched hFE, this transistor ensures consistent performance in dual configurations, making it ideal for differential amplifiers and current mirrors. Its low saturation voltage and high DC current gain make it perfect for high speed switching applications, providing reliable and efficient performance

Hauptmerkmale

Robust signal integrity and jitter suppression
Fully programmable logic and counters
High-reliability and fault-tolerant operation
Low-voltage differential signaling

Anwendung

Optimal power usage
Streamlined design
High-quality components

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	500 mW
Gain Bandwidth Product fT	150 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	FMMT491
Continuous Collector Current	1 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A, 5 V, 35 at 2 A, 5 V
DC Current Gain hFE Max	300 at 1 mA, 5 V	Height	1.1 mm
Length	3 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.4 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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