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FMMT617 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 3 A 120MHz 625 mW Surface Mount SOT-23-3

Hersteller:

DIODES
Herstellerteil #:

FMMT617
Datenblatt:

FMMT617 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.21.00.75
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FMMT617

FMMT617 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 3 A 120MHz 625 mW Surface Mount SOT-23-3

Hauptmerkmale

BVCEO> 15V
IC = 3A high Continuous Collector Current
ICM = 12A Peak Pulse Current
RCE(sat) = 50mΩ for a low equivalent On-Resistance
625mW Power dissipation
hFE specified up to 12A for high current gain hold up
Complementary PNP Type: FMMT717
Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.21.00.75
Collector Current-Max (IC)	3 A	Collector-Base Capacitance-Max	40 pF
Collector-Emitter Voltage-Max	15 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	150	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation Ambient-Max	0.625 W
Power Dissipation-Max (Abs)	0.625 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn)
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	120 MHz
VCEsat-Max	0.2 V

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