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Siehe Technische Spezifikationen

FP25R12W2T4BOMA1 +BOM

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 39 A 175 W Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FP25R12W2T4BOMA1
Datenblatt:

FP25R12W2T4BOMA1 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

39 A
Power - Max:

175 W

FP25R12W2T4BOMA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 39 A 175 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

High power density
Established Easy module concept
Integrated temperature sensor available
Low stray inductance module design
RoHS-compliant modules
Compact module concept
Optimized customer’s development cycle time and cost
Configuration flexibility

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	-	Configuration	Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	39 A
Power - Max	175 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.25V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	1.45 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FP25R12	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	no
Product Category	IGBT Modules	Product Type	IGBT Modules
Subcategory	IGBTs	Tradename	TRENCHSTOP
Part # Aliases	FP25R12W2T4 SP000307561

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