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Siehe Technische Spezifikationen

FP35R12W2T4BOMA1 +BOM

Compact and efficient IGBT modules for low-power applications

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FP35R12W2T4BOMA1
Datenblatt:

FP35R12W2T4BOMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

EasyPIM™
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V

FP35R12W2T4BOMA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 54 A 215 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Low switching losses
Trench IGBT 4
V
CEsat
Low V
CEsat
Al
2
O
3
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Compact module concept
Optimized customer’s development cycle time and cost
Configuration flexibility

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	EasyPIM™
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	54 A
Power - Max	215 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.25V @ 15V, 35A
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	2 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FP35R12	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	no
Product Category	IGBT Modules	Product Type	IGBT Modules
Subcategory	IGBTs	Part # Aliases	FP35R12W2T4 SP000307559

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