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Siehe Technische Spezifikationen

FP75R07N2E4BOSA1 +BOM

IGBT MODULE 650V 95A

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FP75R07N2E4BOSA1
Datenblatt:

FP75R07N2E4BOSA1 Datenblatt (PDF)
Feature-packaging:

Tray
Feature-cecc-qualified:

No
Feature-military:

No
Feature-aec-qualified:

No
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FP75R07N2E4BOSA1

FP75R07N2E4BOSA1 Allgemeine Beschreibung

EconoPIM 2 650V three phase PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC | Summary of Features: Increased blocking voltage capability to 650V; High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current; T(vj op) = 150C; V (CEsat) with positive Temperature Coefficient; Integrated NTC temperature sensor; Isolated Base Plate; Copper Base Plate; Solder Contact Technology | Benefits: Compact module concept; Optimized customers development cycle time and cost; Configuration flexibility | Target Applications: drives; induction; aircon

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

feature-technology		feature-channel-type
feature-configuration		feature-maximum-gate-emitter-voltage-v
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v		feature-maximum-continuous-collector-current-a
feature-maximum-power-dissipation-mw		feature-packaging	Tray
feature-pin-count		feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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