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FSX017WF +BOM

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE WF, 2 PIN

Hersteller:

FUJITSU
Herstellerteil #:

FSX017WF
Datenblatt:

FSX017WF Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

2
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FSX017WF

FSX017WF Allgemeine Beschreibung

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE WF, 2 PIN

Hauptmerkmale

Three Integrated Phase-locked Loops
Ultra Wide Divide Counters (8-bit Q, 11-bit P, and 7-bit Post Divide)
Improved Linear Crystal Load Capacitors
Flash Programmability
Field Programmable
Low-jitter, High-accuracy Outputs
Power Management Options (Shutdown, OE, Suspend)
Configurable Crystal Drive Strength
Frequency Select through three External LVTTL Inputs
3.3 V Operation
16-pin TSSOP andSOIC Packages
CyClocksRT™ Support

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	2	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	HIGH RELIABILITY
Case Connection	SOURCE	Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	12 V	FET Technology	JUNCTION
Highest Frequency Band	X BAND	JESD-30 Code	R-CDFM-F2
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	DEPLETION MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	GALLIUM ARSENIDE

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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