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FZT751TA +BOM

FZT751TA is a PNP Bipolar Junction Transistor engineered for general-purpose applications

FZT751TA Allgemeine Beschreibung

- The FZT751TA PNP transistor is a high-performance device that offers excellent characteristics for a wide range of applications. With a collector-emitter voltage V(br)ceo of 60V, it provides a robust solution for voltage switching requirements. The transition frequency ft of 140MHz enables high-frequency operation, making it suitable for use in radio frequency (RF) applications. The 2W power dissipation rating ensures reliable performance under normal operating conditions. The DC collector current rating of 3A and DC current gain hFE of 200hFE highlight the transistor's ability to amplify and control current flow effectively

Hauptmerkmale

  • BVCEO> -60V
  • IC= -3A high Continuous Current
  • ICM= -6A Peak Pulse Current
  • Low Saturation Voltage VCE(sat) <-300mV @ -1A
  • Complementary NPN Type: FZT651
  •  Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2)
  •  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
  •  Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
  •  PPAP capable (Note 4)

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT REACH Details
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity PNP
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 80 V Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 450 mV Maximum DC Collector Current 3 A
Pd - Power Dissipation 2 W Gain Bandwidth Product fT 140 MHz
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series FZT751 Continuous Collector Current - 3 A
Height 1.65 mm Length 6.7 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 1000
Subcategory Transistors Technology Si
Width 3.7 mm Unit Weight 0.003951 oz

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In Stock: 4.604

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