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IAUZ18N10S5L420ATMA1 +BOM

N-Channel 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IAUZ18N10S5L420ATMA1
Datenblatt:

IAUZ18N10S5L420ATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™-5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IAUZ18N10S5L420ATMA1

IAUZ18N10S5L420ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

OptiMOS 5 - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode - Logic Level
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™-5
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 8µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 50 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUZ18	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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