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IAUZ20N08S5L300ATMA1 +BOM

N-Channel 80 V 20A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32

IAUZ20N08S5L300ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 80 V 20A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

  • OptiMOS
  • TM
  • N-channel - Enhancement mode - Logic Level
  • AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 599 pF @ 40 V
FET Feature - Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number IAUZ20 RHoS yes
PBFree yes HalogenFree yes
Product Category MOSFET Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80 V Id - Continuous Drain Current 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance 30 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 8.1 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 30 W Channel Mode Enhancement
Configuration Single Fall Time 3 ns
Product Type MOSFET Rise Time 1 ns
Factory Pack Quantity 5000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 5 ns
Typical Turn-On Delay Time 2 ns Part # Aliases IAUZ20N08S5L300 SP002016352
Unit Weight 0.003966 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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