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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IGD01N120H2 +BOM

High-speed 2 technology for improved performance

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IGD01N120H2
Datenblatt:

IGD01N120H2 Datenblatt (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

3.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

3.5 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

2.8V @ 15V, 1A
EDA/CAD Modelle:

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IGD01N120H2 Allgemeine Beschreibung

IGBT 1200 V 3.2 A 28 W Surface Mount PG-TO252-3-11

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)	3.2 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	3.5 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 1A	Power - Max	28 W
Switching Energy	140µJ	Input Type	Standard
Gate Charge	8.6 nC	Td (on/off) @ 25°C	13ns/370ns
Test Condition	800V, 1A, 241Ohm, 15V	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IGD01

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