Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IGW60T120FKSA1 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200 Volts, 60 Amps, TO247 package

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IGW60T120FKSA1
Datenblatt:

IGW60T120FKSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchStop®
IGBT Type:

Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

100 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IGW60T120FKSA1

IGW60T120FKSA1 Allgemeine Beschreibung

With its cutting-edge technology and robust construction, the IGW60T120FKSA1 offers a compelling solution for high-voltage applications. Its combination of high voltage and current ratings, along with advanced safety and performance features, makes it a versatile and dependable choice for a wide range of industrial and automotive uses

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Lowest V
CEsat
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V
CEsat
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Highest efficiency – low conduction and switching losses
Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design
High device reliability

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Maintenance & Repair

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	TrenchStop®
IGBT Type	Trench Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)	100 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 60A	Power - Max	375 W
Switching Energy	9.5mJ	Input Type	Standard
Gate Charge	280 nC	Td (on/off) @ 25°C	50ns/480ns
Test Condition	600V, 60A, 10Ohm, 15V	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IGW60T120
RHoS	yes	PBFree	yes

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..