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Siehe Technische Spezifikationen

IHW30N135R5 +BOM

To247 Transistor IGBT 1350V 30A

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IHW30N135R5
Datenblatt:

IHW30N135R5 Datenblatt (PDF)
Feature-channel-type:

N
Feature-configuration:

Single
Feature-maximum-gate-emitter-voltage-v:

±20
Feature-maximum-collector-emitter-voltage-v:

1350
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IHW30N135R5

IHW30N135R5 Allgemeine Beschreibung

In addition to its high performance, the IHW30N135R5 is designed to withstand harsh environmental conditions, including high temperature and voltage stress levels. Its rugged construction and compact package design ensure reliable operation in demanding applications, providing users with peace of mind and confidence in its performance

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

feature-technology		feature-channel-type	N
feature-configuration	Single	feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±20
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	1350	feature-maximum-continuous-collector-current-a	60
feature-maximum-power-dissipation-mw	330	feature-packaging
feature-rad-hard		feature-pin-count	3
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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