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Siehe Technische Spezifikationen

IHW40N120R3 +BOM

This product is a high-power N-channel IGBT chip meant for use in automotive electronic systems

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IHW40N120R3
Datenblatt:

IHW40N120R3 Datenblatt (PDF)
Feature-channel-type:

N
Feature-configuration:

Single
Feature-maximum-gate-emitter-voltage-v:

±20
Feature-maximum-collector-emitter-voltage-v:

1200
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IHW40N120R3

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen IHW40N120R3-Treiber von Infineon Technologies Corporation an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung IHW40N120R3.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

feature-technology		feature-channel-type	N
feature-configuration	Single	feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±20
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	1200	feature-maximum-continuous-collector-current-a	80
feature-maximum-power-dissipation-mw	429	feature-packaging	Tube
feature-rad-hard		feature-pin-count	3
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive
feature-p-pap		feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	No	feature-svhc-exceeds-threshold	No
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	80 A
Pd - Power Dissipation	429 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	RC
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	SP000999770 IHW40N120R3FKSA1
Unit Weight	0.211644 oz

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