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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IHW30N160R2 +BOM

0A current rating, TO-247 package

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IHW30N160R2
Datenblatt:

IHW30N160R2 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.6 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IHW30N160R2

IHW30N160R2 Allgemeine Beschreibung

Whether used in motor control, power supplies, industrial inverters, or UPS systems, the IHW30N160R2 offers reliable and efficient operation. Its high power handling capabilities, fast switching speed, and robust construction make it an ideal solution for demanding industrial environments. With this module, users can expect high efficiency and cost-effectiveness in their industrial applications

Hauptmerkmale

Rapid transient response
High surge immunity
Low EMI radiation

Anwendung

Induction heaters
Motor controllers
Power management

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.6 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	60 A
Pd - Power Dissipation	312 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	600V TRENCHSTOP
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	20.95 mm
Length	15.9 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Width	5.3 mm
Part # Aliases	SP000273701 IHW3N16R2XK IHW30N160R2FKSA1	Unit Weight	1.340411 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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M**n 01.23.2023

Good product, excellent seller-recommend! Item according to the description, shipping about 40 days, without tracking. The whole batch did not check and did not recalculate, but selectively taken leds work, the brightness is good. I recommend the seller!