Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IMH11AT110 +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

IMH11AT110
Datenblatt:

IMH11AT110 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Resistor - Base (R1):

10kOhms
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IMH11AT110

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IMH11AT110 Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased	Series	-
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Resistor - Base (R1)	10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250MHz	Power - Max	300mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IMH11

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..