Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPP410N30NAKSA1 +BOM

N-Channel 300 V 44A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IPP410N30NAKSA1
Datenblatt:

IPP410N30NAKSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

300 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPP410N30NAKSA1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPP410N30NAKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 300 V 44A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Fast diode technology
Industry best R
DS(on)
Hard commutation ruggedness
Optimized hard switching behavior
Highest efficiency and power density
Board space and system cost reduction
High system reliability
Best switching performance
Easy-to-design products

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7180 pF @ 100 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPP410	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes
Product Category	MOSFET	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	300 V	Id - Continuous Drain Current	44 A
Rds On - Drain-Source Resistance	41 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	65 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	300 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Forward Transconductance - Min	52 S
Height	15.65 mm	Length	10 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	9 ns
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	43 ns
Typical Turn-On Delay Time	16 ns	Width	4.4 mm
Part # Aliases	IPP410N30N SP001082134	Unit Weight	0.068784 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..