Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPT60R150G7XTMA1 +BOM

MOSFET HIGH POWER NEW

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IPT60R150G7XTMA1
Datenblatt:

IPT60R150G7XTMA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Number Of Channels:

1 Channel
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPT60R150G7XTMA1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPT60R150G7XTMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Gives best-in-class FOM R
DS(on)
xE
oss
DS(on)
xQ
G
Enables best-in-class R
DS(on)
Inbuilt 4
th
Is MSL1 compliant, total Pb-free, has easy visual inspection grooved leads
Enables improved thermal performance R
th
Higher efficiency due to the improved C7 Gold technology and faster switching due to the package low parasitic source inductance and the 4pin Kelvin source concept
Improved power density due to low R
DS(on)
DS(on)
Production cost reduction by moving to SMD through quicker assembly times

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Telecom
Server
Solar
Industrial SMPS

Spezifikationen

Product Category:	MOSFET	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Id - Continuous Drain Current:	17 A	Rds On - Drain-Source Resistance:	129 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V	Vgs - Gate-Source Voltage:	20 V
Qg - Gate Charge:	23 nC	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Pd - Power Dissipation:	106 W
Configuration:	Single	Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel	Series:	CoolMOS G7
Transistor Type:	1 N-Channel	Fall Time:	6 ns
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	5 ns
Factory Pack Quantity:	2000	Subcategory:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	56 ns	Typical Turn-On Delay Time:	17 ns
Part # Aliases:	IPT60R150G7 SP001579346	Tags	IPT60R1, IPT60, IPT6, IPT
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..