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Siehe Technische Spezifikationen

IRF6665TR1PBF

MOSFET 100V N-CH DirectFET for Digital Audio

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IRF6665TR1PBF
Datenblatt:

IRF6665TR1PBF Datenblatt (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss):

100 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IRF6665TR1PBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH

Hauptmerkmale

Latest MOSFET Silicon technology
Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications
Low RDS(on) for improved efficiency
Low Qg for better THD and improved efficiency
Low Qrr for better THD and lower EMI
Low package stray inductance for reduced ringing and lower EMI
Can deliver up to 100W per channel into 8Ω with no heatsink
Dual sided cooling compatible
Compatible with existing surface mount technologies
RoHS compliant containing no lead or bromide
ead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)

Spezifikationen

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Ta), 19A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62mOhm @ 5A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	530 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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