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Siehe Technische Spezifikationen

IRF710PBF +BOM

IRF710PBF: N-channel MOSFET with 400V Voltage and 2A Current in TO-220AB Package

Hersteller:

Vishay Intertechnology, Inc
Herstellerteil #:

IRF710PBF
Datenblatt:

IRF710PBF Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

2A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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IRF710PBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

Hauptmerkmale

Pulse train capability
Avalanche rated
High current handling
Efficient heat dissipation

Vishay Intertechnology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	170 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	36W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IRF710

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