Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRF9Z10PBF +BOM

Three-pin transistor with power tab for enhanced thermal performance

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

IRF9Z10PBF
Datenblatt:

IRF9Z10PBF Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF9Z10PBF

IRF9Z10PBF Allgemeine Beschreibung

P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB

Hauptmerkmale

Elevated power density
Fully commutated switching
Low input current
High efficiency operation

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	6.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	500 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	12 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	43 W	Channel Mode	Enhancement
Series	IRF9Z	Configuration	Single
Fall Time	31 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	63 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns	Typical Turn-On Delay Time	11 ns
Part # Aliases	IRF9Z10PBF-BE3	Unit Weight	0.068784 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..