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Siehe Technische Spezifikationen

IXA20PG1200DHG-TUB +BOM

IGBT Modules IGBT MODULES IXA20PG1200DHG-TU

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXA20PG1200DHG-TUB
Datenblatt:

IXA20PG1200DHG-TUB Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.8 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXA20PG1200DHG-TUB

IXA20PG1200DHG-TUB Allgemeine Beschreibung

IGBT Array PT Half Bridge 1200 V 32 A 130 W Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B

Spezifikationen

Product Category	IGBT Modules	Product	IGBT Silicon Modules
Configuration	Dual	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V	Continuous Collector Current at 25 C	32 A
Pd - Power Dissipation	130 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	SMD/SMT	Product Type	IGBT Modules
Series	ISOPLUS	Factory Pack Quantity	20
Subcategory	IGBTs	Technology	Si

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