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IXYS SEMICONDUCTOR IXA55I1200HJ IGBT Single Transistor, 84 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
ISOPLUS 247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IXA55I1200HJ
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
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The IXA55I1200HJ power module from IXYS sets a new standard for high-power applications with its dual IGBT configuration and impressive 55A current rating. This powerhouse module is perfect for industrial drives, inverters, and renewable energy systems, providing exceptional performance and efficiency. Its low conduction and switching losses make it a top choice for high-frequency operation, while its rugged construction ensures reliable operation in even the harshest conditions
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 84 A |
Pd - Power Dissipation | 290 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | IXA55I1200HJ |
Continuous Collector Current Ic Max | 54 A | Gate-Emitter Leakage Current | 500 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | IGBTs | Tradename | XPT |
Unit Weight | 0.186952 oz |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
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