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Siehe Technische Spezifikationen

IXGA12N120A3 +BOM

IGBT PT 1200 V 22 A 100 W Surface Mount TO-263AA

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXGA12N120A3
Datenblatt:

IXGA12N120A3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXGA12N120A3

IXGA12N120A3 Allgemeine Beschreibung

Littelfuse's IXGA12N120A3 IGBT is the epitome of excellence in high-speed applications. Engineered with Punch Through technology, this component boasts unparalleled gain, rapid switching capabilities, and ultra-low conduction losses. From UPS systems to off-line switching power supplies to induction cooking, this IGBT is the ultimate solution. The optional G-series, with its integrated Ultrafast FRED diode, further enhances the performance and versatility of this already remarkable product. Dive into the world of advanced technology with the IXGA12N120A3 from Littelfuse

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	22 A
Pd - Power Dissipation	100 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXGA12N120
Continuous Collector Current	22 A	Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	4.83 mm
Length	9.65 mm	Operating Temperature Range	- 55 C to + 150 C
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	IGBTs	Tradename	GenX3
Width	10.41 mm	Unit Weight	0.056438 oz

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