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Siehe Technische Spezifikationen

J113,126 +BOM

Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo

Hersteller:

NXP USA Inc.
Herstellerteil #:

J113,126
Datenblatt:

J113,126 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS):

40 V
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):

2 mA @ 15 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an J113,126

J113,126 Allgemeine Beschreibung

JFET N-Channel 40 V 400 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Series	-	FET Type	N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	40 V	Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	2 mA @ 15 V	Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	500 mV @ 1 µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6pF @ 10V (VGS)	Resistance - RDS(On)	100 Ohms
Power - Max	400 mW	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	J113

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