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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

JAN2N3055 +BOM

Metal 2 Pin JAN2N3055 Power Bipolar Transistor

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

JAN2N3055
Datenblatt:

JAN2N3055 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Case Connection:

COLLECTOR
Collector Current-Max (IC):

15 A
EDA/CAD Modelle:

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JAN2N3055 Allgemeine Beschreibung

Engineered for high-power applications, the JAN2N3055 transistor is a dependable component for military and aerospace systems. With its robust construction and ability to operate in extreme conditions, it is commonly used in power supplies, motor controls, and RF amplifiers where reliability and performance are crucial. Its compliance with MIL-PRF-19500/404 specifications further underscores its suitability for demanding environments

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	15 A
Collector-Emitter Voltage-Max	70 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	20	JEDEC-95 Code	TO-3
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	200 °C	Polarity/Channel Type	NPN
Qualification Status	Qualified	Reference Standard	MIL-19500/407D
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	PIN/PEG	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	15 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	70 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2V @ 3.3A, 10A	Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 4A, 4V	Power - Max	6 W
Frequency - Transition	-	Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)
Grade	Military	Qualification	MIL-PRF-19500/407
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	2N3055

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