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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

JANTX2N2219A +BOM

Can handle up to 50 volts and 800 mA of current

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

JANTX2N2219A
Datenblatt:

JANTX2N2219A Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelle:

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JANTX2N2219A Allgemeine Beschreibung

One of the standout features of the JANTX2N2219A transistor is its low noise figure of 1dB at 1kHz, making it ideal for applications where signal clarity is crucial. Whether used in high-frequency amplifiers or other low-noise circuits, this transistor delivers exceptional performance. Additionally, its low base-emitter saturation voltage of 0.6V enables efficient switching, enhancing overall system efficiency

Hauptmerkmale

Wide frequency response
Compact package size
High reliability design
Robust overvoltage protection

Anwendung

Important roles
Essential components
Key system functions

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	75 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	800 mA	Pd - Power Dissipation	800 mW
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Continuous Collector Current	800 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	50
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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