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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

JANTX2N2907A +BOM

Product JANTX2N2907A falls under the category of small-signal Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

JANTX2N2907A
Datenblatt:

JANTX2N2907A Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

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Tel: +852 95804164

JANTX2N2907A Allgemeine Beschreibung

The JANTX2N2907A transistor is an essential component in critical applications where reliability and performance are crucial. Its robust design allows it to withstand harsh environments and high levels of radiation, making it a top choice for military, aerospace, and space applications. With a maximum collector current rating of 800 mA and a maximum voltage rating of 60 volts, this transistor delivers high performance in low-power switching and amplification tasks. Its high gain and low saturation voltage further enhance its suitability for various electronic applications

Hauptmerkmale

Wide operating temperature range
Excellent thermal stability
Suitable for high-reliability applications
Military grade with rugged quality

Anwendung

High-speed data processing
Specialized medical equipment
Automated industrial processes

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	500 mW
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.081218 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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