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Siehe Technische Spezifikationen

JANTX2N3741 +BOM

Product description for JANTX2N3741: 80V 25W PNP Bipolar Transistors

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

JANTX2N3741
Datenblatt:

JANTX2N3741 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

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Tel: +852 95804164

JANTX2N3741 Allgemeine Beschreibung

The JANTX2N3741 is a robust and reliable silicon NPN power transistor, specially engineered for high voltage and high current applications. With a maximum collector current of 10A and a collector-emitter voltage of 600V, this transistor is capable of handling demanding power supply circuits, motor control, and high voltage switching applications. Housed in a TO-204AA package, it offers excellent thermal conductivity for efficient heat dissipation, ensuring optimal performance even in harsh operating environments

Hauptmerkmale

Automotive grade reliability
Wide operating temperature
Low input current draw

Anwendung

Audio Amplifiers
UPS Systems
Wind Turbines

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	4 A	Pd - Power Dissipation	25 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	30 at 250 mA, 1 VDC	DC Current Gain hFE Max	120 at 250 mA, 1 VDC
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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