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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSP10TA +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

KSP10TA
Datenblatt:

KSP10TA Datenblatt (PDF)
Case Outline:

135AN
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

BLKBG
Mounting Style:

Through Hole
EDA/CAD Modelle:

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Tel: +852 95804164

KSP10TA Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3

Anwendung

Handy tool for any job.
Works like a charm.
Easily tackles any task.

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	135AN
MSL Temp (°C)	0	Container Type	BLKBG
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	25 V	Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO	3 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	-	Pd - Power Dissipation	350 mW
Gain Bandwidth Product fT	650 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSP10
DC Collector/Base Gain hfe Min	60	Height	4.7 mm
Length	4.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.93 mm
Part # Aliases	KSP10TA_NL	Unit Weight	0.008466 oz
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Frequency - Transition	650MHz	Power - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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Bewertungen und Rezensionen

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C**s 01.17.2024

Not yet checked, but in appearance everything is ok.

L**n 11.28.2023

Came quickly, raise about to 29 v, loaded about 1a at the entrance-the flight is normal. The only drawback-the substring somewhat strangely works, the first 1/3 range practically do not change anything at the output.

J**y 10.09.2020

Perfect supplier!Quality Parts & excellent service

N**h 10.02.2020

Came quickly, without tracking. Everything works. A convenient piece for connecting the ardun. From alex gaiver hi