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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MJ4502 +BOM

TO-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

MJ4502
Datenblatt:

MJ4502 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

90 V
Collector- Base Voltage VCBO:

100 V
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MJ4502 Allgemeine Beschreibung

This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100¿Watts music power per channel.

Hauptmerkmale

Good High Frequency Response
Low Temperature Coefficient
Available in TO-3 Package

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	90 V
Collector- Base Voltage VCBO	100 V	Emitter- Base Voltage VEBO	4 V
Maximum DC Collector Current	30 A	Pd - Power Dissipation	200 W
Gain Bandwidth Product fT	2 MHz	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	MJ4502	Continuous Collector Current	30 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.225789 oz

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