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MMBT3904Q-7-F +BOM

MMBT3904 Series NPN Transistor

MMBT3904Q-7-F Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3

Hauptmerkmale

  • Epitaxial Planar Die Construction
  • Complementary PNP Type Available (MMBT3906)
  • Ideal for Medium Power Amplification and Switching
  • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
  • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
  • PPAP Capable (Note 4)

Spezifikationen

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 36 Weeks Additional Feature HIGH RELIABILITY
Collector Current-Max (IC) 0.2 A Collector-Base Capacitance-Max 4 pF
Collector-Emitter Voltage-Max 40 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 30 JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.35 W Reference Standard AEC-Q101
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 300 MHz
Turn-off Time-Max (toff) 250 ns Turn-on Time-Max (ton) 70 ns
VCEsat-Max 0.3 V Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Power - Max 310 mW
Frequency - Transition 300MHz Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade Automotive Qualification AEC-Q101
Mounting Type Surface Mount Base Product Number MMBT3904

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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