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Siehe Technische Spezifikationen

MMBTA05-7-F +BOM

60V NPN Bipolar Transistor

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

MMBTA05-7-F
Datenblatt:

MMBTA05-7-F Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMBTA05-7-F

MMBTA05-7-F Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 500 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

Hauptmerkmale

Epitaxial Planar Die Construction
Complementary PNP Type Available (MMBTA55 / MMBTA56)
Ideal for Low Power Amplification and Switching
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 3)
"Green" Device (Note 4)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	310 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MMBTA05
Continuous Collector Current	500 mA	Height	1 mm
Length	3.05 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.4 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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