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Siehe Technische Spezifikationen

MPSH17 +BOM

RF Transistor NPN 15V 800MHz 350mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

MPSH17
Datenblatt:

MPSH17 Datenblatt (PDF)
Case Outline:

29-11
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

REEL
Mounting Style:

Through Hole
EDA/CAD Modelle:

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Tel: +852 95804164

MPSH17 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 15V 800MHz 350mW Through Hole TO-92-3

Hauptmerkmale

Simplifies Circuit Design
Reduces Board Space
Reduces Component Count
The SOT-23 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull-winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die.
Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. Replace "T1" with "T3" in the Device Number to order the 13 inch/10,000 unit reel.
Pb-Free Package is Available

Spezifikationen

Status	Obsolete	Case Outline	29-11
MSL Temp (°C)	0	Container Type	REEL
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	15 V	Collector- Base Voltage VCBO	20 V
Emitter- Base Voltage VEBO	3 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Pd - Power Dissipation	350 mW	Gain Bandwidth Product fT	800 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	25	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.19 mm

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