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Siehe Technische Spezifikationen

MRF172 +BOM

Advanced RF transistor for high-frequency application

Hersteller:

Advanced Semiconductor, Inc.
Herstellerteil #:

MRF172
Datenblatt:

MRF172 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

9 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

65 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

PG= 10 dB Min. at 150 MHz
30:1 Load VSWRCapability
Omnigold™ Metalization System

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	9 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	65 V	Rds On - Drain-Source Resistance	1.5 mOhms
Operating Frequency	200 MHz	Gain	10 dB
Output Power	80 W	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Pd - Power Dissipation	220 W
Product Type	RF MOSFET Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	40 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5 V

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