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Siehe Technische Spezifikationen

MRFG35010 +BOM

Advanced S-band RF amplifier module for high-frequency electronics applications

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

MRFG35010
Datenblatt:

MRFG35010 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

pHEMT
Technology:

GaAs
Operating Frequency:

3.55 GHz
Gain:

10 dB

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MRFG35010 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 12 V 130 mA 3.55GHz 10dB 9W NI-360HF

Spezifikationen

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	pHEMT
Technology	GaAs	Operating Frequency	3.55 GHz
Gain	10 dB	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 5 V	Id - Continuous Drain Current	2.9 A
Output Power	10 W	Minimum Operating Temperature	- 20 C
Maximum Operating Temperature	+ 90 C	Pd - Power Dissipation	28.3 W
Mounting Style	Screw Mount	Configuration	Single
Height	4.47 mm	Length	20.45 mm
P1dB - Compression Point	10 W	Product	RF JFET
Product Type	RF JFET Transistors	Subcategory	Transistors
Type	GaAs pHEMT	Width	5.97 mm
Unit Weight	0.032480 oz	Frequency	3.55GHz
Voltage - Test	12 V	Current - Test	130 mA
Power - Output	9W	Voltage - Rated	15 V
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	MRFG35

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