Bezahlverfahren
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
Power amplifier module for NI- system
NI-200SHersteller:
Herstellerteil #:
MRF281SR1
Datenblatt:
Transistor Polarity:
N-Channel
Technology:
Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
65 V
Operating Frequency:
1 GHz to 2.5 GHz
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200S
Product Category | RF MOSFET Transistors | Transistor Polarity | N-Channel |
Technology | Si | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V |
Operating Frequency | 1 GHz to 2.5 GHz | Gain | 11 dB |
Output Power | 4 W | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Mounting Style | SMD/SMT |
Channel Mode | Enhancement | Configuration | Single |
Height | 2.95 mm | Length | 5.16 mm |
Pd - Power Dissipation | 20 W | Product Type | RF MOSFET Transistors |
Subcategory | MOSFETs | Type | RF Power MOSFET |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Width | 4.14 mm |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
[email protected],
oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für MRF281SR1 zu erstellen, garantierte Angebote zurück innerhalb
12 Std.