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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MRF6VP41KHR6 +BOM

Advanced radio-frequency component for wireless communicatio

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

MRF6VP41KHR6
Datenblatt:

MRF6VP41KHR6 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

110 V
Minimum Operating Temperature:

- 65 C

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MRF6VP41KHR6 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 50 V 150 mA 450MHz 20dB 1000W NI-1230

Hauptmerkmale

Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters
CW Operation Capability with Adequate Cooling
Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
Integrated ESD Protection
Designed for Push--Pull Operation
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel. R5 Suffix = 50 Units, 56 mm Tape Width, 13 Inch Reel.

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	110 V
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Dual Common Source	Height	5.08 mm
Length	41.28 mm	Product Type	RF MOSFET Transistors
Factory Pack Quantity	150	Subcategory	MOSFETs
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	- 6 V, 10 V
Width	10.29 mm	Unit Weight	0.464036 oz

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