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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MRF422 +BOM

RF Bipolar Transistors 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB

Hersteller:

MACOM Technology Solutions
Herstellerteil #:

MRF422
Datenblatt:

MRF422 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

35V
Gain:

13dB
Power - Max:

150W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MRF422

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Tel: +852 95804164

MRF422 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 35V 20A 150W Chassis Mount 211-11, Style 2

Hauptmerkmale

Specified 28 V, 30 MHz Characteristics: Output Power = 150 W (PEP), Efficiency = 40%,Minimum Gain = 10 dB
Intermodulation Distortion @ 150 W (PEP) —IMD = –30 dB (min.)
100% Test for Load Mismatch at all Phase Angelswith 30:1 VSWR
Aerospace and Defense
ISM

Anwendung

Min Frequency: 2 MHz
Max Frequency: 30 MHz
Pout: 150 W
Gain: 10 dB
Efficiency: 40 %
Bias Voltage: 28 V

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	35V
Frequency - Transition	-	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	13dB	Power - Max	150W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 5A, 5V	Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Operating Temperature	-	Mounting Type	Chassis Mount

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