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Siehe Technische Spezifikationen

MRF454 +BOM

RF Bipolar Transistors 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB

Hersteller:

MACOM Technology Solutions
Herstellerteil #:

MRF454
Datenblatt:

MRF454 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

18V
Gain:

12dB
Power - Max:

80W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MRF454

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MRF454 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 18V 20A 80W Chassis Mount 211-11, Style 2

Hauptmerkmale

Specified 12.5 V, 30 MHz characteristics:
Efficiency = 50%
Minimum gain = 12 dB
Output power = 80 W
Aerospace and Defense
ISM

MACOM Technology Solutions Originalbestand

Anwendung

Min Frequency: 2 MHz
Max Frequency: 30 MHz
Pout: 80 W
Gain: 12 dB
Efficiency: 50 %
Bias Voltage: 12.5 V

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	18V
Frequency - Transition	-	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	12dB	Power - Max	80W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 5A, 5V	Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Operating Temperature	-	Mounting Type	Chassis Mount

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Bewertungen und Rezensionen

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J**e 01.01.2022

Trustworthy, Recommend to All !

Z**r 07.31.2021

Like normal, externally without grinding marks, resistance 3.5

J**m 12.28.2020

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C**n 09.27.2020

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