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Siehe Technische Spezifikationen

MRF151 +BOM

Reliable performance in high-power RF transmission systems ( character

Hersteller:

Macom
Herstellerteil #:

MRF151
Datenblatt:

MRF151 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

16 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

125 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MRF151 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 50 V 250 mA 175MHz 13dB ~ 22dB 150W

Hauptmerkmale

Guaranteed Performance at 30 MHz, 50 V:, Output Power — 150 W, Gain — 18 dB (22 dB Typ), Efficiency — 40%
Typical Performance at 175 MHz, 50 V:, Output Power — 150 W, Gain — 13 dB, Low Thermal Resistance, Ruggedness Tested at Rated Output Power, Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability
Aerospace and Defense
ISM

Anwendung

Min Frequency: 5 MHz
Gain: 13 dB
Efficiency: 40 %
Pout: 150 W
Max Frequency: 175 MHz

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	16 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	125 V	Operating Frequency	175 MHz
Gain	13 dB	Output Power	150 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Pd - Power Dissipation	300 W	Product Type	RF MOSFET Transistors
Factory Pack Quantity	20	Subcategory	MOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage	40 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Unit Weight	1.085953 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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I**h 12.01.2021

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