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Siehe Technische Spezifikationen

NTE102 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 24 V 150 mA 150 mW Through Hole TO-5

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

NTE102
Datenblatt:

NTE102 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

24 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

200mV @ 1mA, 24mA

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NTE102 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 24 V 150 mA 150 mW Through Hole TO-5

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	150 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	24 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 1mA, 24mA	Current - Collector Cutoff (Max)	5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 12mA, 150mV	Power - Max	150 mW
Frequency - Transition	-	Operating Temperature	-65°C ~ 100°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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